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Si离子注入对SIMOX SOI材料抗总剂量辐照性能的影响(英文)
Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials
【摘要】 为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试样品的ID-VG特性曲线.结果表明,合适的硅离子注入工艺能有效提高材料抗总剂量辐照的能力.
【Abstract】 To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator (SOI) wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen (SIMOX) method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post anneal.The ID-VG characteristics can be tested with the pseudo-MOSFET method before and after radiation.The results show that a proper Si-ion-implantation method can enhance the total-dose radiation tolerance of the materials.
【关键词】 SIMOX；
SOI；
Si离子注入；
总剂量辐照效应；
pseudo-MOS；
【Key words】 SIMOX； SOI； Si ion implantation； total-dose radiation effect； pseudo-MOS；
【Key words】 SIMOX； SOI； Si ion implantation； total-dose radiation effect； pseudo-MOS；
- 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年03期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】7
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