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基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)
InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge
【摘要】 报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.
【Abstract】 An InP-based single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)with base μ-bridge and emitter air-bridge is reported.Because those bridges reduce parasitic capacitance greatly,the cutoff frequency f_T of the 2μm×12.5μm InP SHBT without de-embedding reaches 178GHz.It is critical in high-speed low power applications,such as OEIC receivers and analog-to-digital converters.
【基金】 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院创新基金(批准号:KGCX2-107)资助项目~~
- 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2007年02期
- 【分类号】TN322.8
- 【被引频次】5
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