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Si（111）7×7表面Gd@C₈₂分子的STM研究

Scanning Tunneling Microscopy Study of Gd@C₈₂ on Si（111） 7×7 Surface

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【Author】 Liu Yu~1,Shen Ziyong~(*1),Sun Tao~1,Hou Shimin~1,Zhao Xingyu~1,Xue Zengquan~1,Shi Zujin~2 and Gu Zhennan~21.Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices,Ministry of Education,School ofElectronics Engineering and Computer Science,Peking University,Beijing,100871,China;2.College of Chemistry and Molecular Engineering,Peking University,Beijing,100871,China

【机构】北京大学信息科学技术学院；北京大学化学与分子工程学院；北京大学化学与分子工程学院北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室北京100871；北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室北京100871；北京100871；

【摘要】用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性。STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定。扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性。分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化。更多还原

【Abstract】 Structures and electronic properties of the endohedral metallofullerence,Gd@C₈₂,adsorbed on Si（111） reconstructed surface was studied with ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy（UHV-STM）.STM images show that the adsorbed Gd@C₈₂ molecules display semi-conducting properties and above the three adatoms in the 7×7 unit cell is the preferential,stable adsorption site.Moreover,electron transfer between Gd and C₈₂ cage strongly affects local desity of states（LDOS） of Gd@C₈₂.更多还原