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ZnO基紫外探测器研究进展

Research progress in ZnO-based UV detectors

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【作者】 邓宏徐自强谢娟李燕祖小涛李言荣

【Author】 DENG Hong~ 1, XU Zi-Qiang~1 XIE Juan~1 LI Yan~1 ZU Xiao-Tao~2 LI Yan-Rong~1(1 School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu 610054, China) (2 School of Physical Electronics, University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu 610054, China)

【机构】 电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054电子科技大学微电子与固体电子学院电子科技大学物理电子学院电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054成都610054

【摘要】 近年来,直接带隙宽禁带半导体ZnO(3.37eV)以其优越的光电特性而成为紫外探测领域研究中的新热点.文章介绍了不同类型的ZnO基紫外光敏探测器的结构和性能,并对ZnO基紫外光敏探测器的最新研究进展和应用前景进行探讨和展望.

【Abstract】 Recently, ZnO has been regarded as a promising material for UV detectors due to its wide direct bandgap energy of 3.37 eV and excellent optical and electrical properties. We describe the structure and performance of various types of ZnO-based UV detectors, and present a detailed overview of the latest research progress in this field.

【基金】 国家重点科学基础研究发展计划(批准号:51310Z09-4);国家自然科学基金(批准号:60390073);四川省应用基础研究(批准号:05JY02906801)资助项目
  • 【分类号】O434.2
  • 【被引频次】10
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