节点文献
H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响
Effect of H2 on polycrystalline Si films deposited by plasma-enhanced CVD using Ar-diluted SiH4
【摘要】 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性.
【Abstract】 Low-temperature polycrystalline Si films were fabricated by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiH4,Ar and H2 as source gas.It was found that the content of H2 in the mixture plays an important role for crystallization of Si films.High-quality low-temperature polycrystalline Si films were obtained under the optimal amount of H2 in the source gas.
【关键词】 低温多晶Si薄膜；
等离子体CVD；
Ar稀释SiH4；
H2比例；
【Key words】 low-temperature polycrystalline Si film； PECVD； Ar-diluted SiH4； H2 flow；
【Key words】 low-temperature polycrystalline Si film； PECVD； Ar-diluted SiH4； H2 flow；
【基金】 国家自然科学基金(批准号:10175030);高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划资助的课题.~~
- 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2006年11期
- 【分类号】O484.1
- 【被引频次】3
- 【下载频次】216