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La1-xPrxMnO3（x=0·1,0·2）薄膜庞磁电阻性质的研究

Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrxMnO3 thin films

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【作者】 段苹； 陈正豪； 戴守愚； 周岳亮； 吕惠宾；

【Author】 Duan Ping~ 1)2) Chen Zheng-Hao~ 2) Dai Shou-Yu~ 2) Zhou Yue-Liang~ 2) Lü Hui-Bin~ 2) 1)(Department of Applied Physics, Tianjin University, Tianjin 300072, China)2)(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China)

【机构】 天津大学应用物理系； 中国科学院物理研究所； 中国科学院物理研究所 天津300072； 北京100080；

【摘要】 一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3（x=0.1,0.2）薄膜用脉冲激光沉积（PLD）方法生长在（100）SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应（CMR）效应,其中磁电阻比率达95%（在5T的磁场下）.X射线光电子能谱（XPS）的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.

【Abstract】 The oxide La1-xPrxMnO3 （x=0.1, 0.2） thin film showing colossal magnetoresistance has been epitaxially grown on （100） SrTiO-3 single-crystal substrate by pulsed-laser deposition. The films have a perovskite structure and perform the colossal magnetoresistance effect with the maximum magnetoresistance ratio of 95% under the magnetic field of 5 T. The valence of Pr is confirmed as +4 through XPS. Therefore the epitaxial film is most likely an electron-doped colossal magnetoresistance fihn.

【关键词】 脉冲激光沉积； La1-xPrxMnO3； 电子掺杂； 庞磁电阻；
【Key words】 pulsed laser deposition (PLD)； La1-xPrxMnO3； electron-doped； colossal magnetoresistance；
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2006年03期
  • 【分类号】O484.43
  • 【被引频次】3
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