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快速升温法制备CdS纳米带的生长机理研究

Growth Mechanism of CdS Nanobelts

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【作者】 王志俊陶锋刘伟丰姚连增蔡维理

【Author】 WANG Zhi-Jun TAO Feng LIU Wei-Feng YAO Lian-Zeng CAI Wei-Li (Department of Materials Science and Engineering,University of Science and Technology of China,Hefei 230026,China)

【机构】 中国科学技术大学材料科学与工程系中国科学技术大学材料科学与工程系 合肥 230026合肥 230026

【摘要】 在无任何催化剂的条件下,采用快速升温法在单晶硅衬底上制备了高质量的、形貌均匀的CdS纳米带.X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(FESEM)分析显示,纳米带属六方单晶结构,生长方向为[001].讨论了纳米带形成的机理,认为CdS纳米带状六方结构的形成,主要是由于生长速度的各向异性及在沉积区具有较低的过饱和度和较高的沉积温度等因素导致.

【Abstract】 The CdS nanobelts with high quality and even morphology were fabricated via a rapid evaporation route on Si substrate without any catalyst.XRD,TEM and SEM investigations reveal that the as-prepared samples are single-crystals of CdS nanobelts with a hexagonal wurtzite structure growing along the[001]direction.The VS model is proposed for the growth mechanism of CdS nanobelts.

【关键词】 CdS纳米带生长机理
【Key words】 CdSnanobeltsgrowth mechanism
  • 【文献出处】 无机材料学报 ,Journal of Inorganic Materials , 编辑部邮箱 ,2006年06期
  • 【分类号】TB383.1
  • 【被引频次】4
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