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高效薄膜硅/晶体硅异质结电池的研究

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【作者】 张群芳； 朱美芳； 刘丰珍；

【机构】 中科院研究生院； 中科院研究生院；

【摘要】 <正>一引言用薄膜工艺在晶体硅衬底上制备非晶、纳米晶薄膜,可获得异质结电池,该类电池有以下优点:(1)材料消耗少;晶硅片厚度≤200μm,通常晶硅电池厚度为350μm;

【关键词】 异质结； 晶体硅； 薄膜层； 组件效率； 非晶硅； 开路电压； 界面缺陷； 填充因子； 缓冲层； 硅衬底；
  • 【分类号】TM914
  • 【被引频次】20
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