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低位错ZnSe单晶的生长

Growth of ZnSe Single Crystal with Low Dislocations

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【作者】 张旭李卫张力强丁进王坤

【Author】 ZHANG Xu,LI Wei,ZHANG Li-qiang,DING Jin,WANG Kun (Research Institute of Synthetic Crystal,Beijing 100018,China)

【机构】 人工晶体研究院人工晶体研究院 北京100018北京100018

【摘要】 采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2。对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm。

【Abstract】 A ZnSe single crystal with diameter of 25mm and length of 3mm was grown at a correct temperature and with I2.Its dislocation density is 4.4×104cm-2.The optical property analysis shows that the ZnSe single crystal possesses transmittance above 70% and absorption coefficient 7.72×10-4/cm at 10.6μm.

【基金】 国家863计划(No.2002AA325030)资助项目
  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,2006年02期
  • 【分类号】O782
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】149
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