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一种新颖的功率MOSFET SPICE宏模型

A Novel SPICE Macro-Model for Power MOSFET’s

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【作者】 曾天志张波罗萍蒲奎赵露

【Author】 ZENG Tian-zhi,ZHANG Bo,LUO Ping,PU Kui,ZHAO Lu(School of Microelec.& Sol.Sta.Elec.,Univ.of Elec.Sci.and Technol. of China,Chengdu,Sichuan 610054,P.R.China)

【机构】 电子科技大学微电子与固体电子学院电子科技大学微电子与固体电子学院 四川成都610054四川成都610054

【摘要】 提出了一种新颖的功率MOSFET宏模型结构,详细介绍了宏模型建立的整个流程;并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。此模型考虑了功率MOSFET必要的二阶效应,并采用行为级模型来处理JFET电阻。

【Abstract】 A novel SPICE macro-model for power MOSFET’s is presented.The entire process for the modeling of power MOSFET’s is described in detail.A comparison is made between simulated results with measured results to verify the accuracy of the new model.The 2nd-order effect necessary for power MOSFET’s was taken into account in the macro-model and behavioral model was used to deal with JFET resistance.

  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】4
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