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SiGe/Si HBT高频噪声特性研究

High-Frequency Noise Characteristics of Si/SiGe HBT’s

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【Author】 ZHANG Wan-rong~1,QIU Jian-jun~1,JIN Dong-yue~1,ZHANG Jing~2,ZHANG Zheng-yuan~2,LIU Dao-guang~2,WANG Jian-an~2,XU Xue-liang~2,CHEN Guang-bing~2(1.School of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing,100022,P.R.China;2.National Laboratory of Analog Integrated Circuits,Chongqing,400060,P.R.China)

【机构】北京工业大学电子信息与控制工程学院；模拟集成电路国家重点实验室；模拟集成电路国家重点实验室北京100022；北京100022；重庆400060；

【摘要】基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。更多还原

【Abstract】 Based on Y parameters of device,high-frequency noise characteristics of Si/Si_1-xGe_x HBT’s is simulated.As the Ge fraction increases,the high-frequency minimum noise figure of Si/Si_1-xGe_x HBT decreases.The results show that Si/SiGe HBTs have excellent high-frequency noise characteristics,compared with Si BJT.更多还原

【关键词】 SiGe；异质结晶体管；高频噪声；
【Key words】 SiGe； HBT； High-frequency noise；

【基金】模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301)

【文献出处】微电子学 ,Microelectronics , 编辑部邮箱 ,2006年01期

【分类号】TN322.8
【被引频次】6
【下载频次】163

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