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温度对SiO2光子晶体模板中生长InP的影响
Effect of crystallization temperature in infilling of InP in SiO2 artificial opals
【摘要】 制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度（300℃,350℃,400℃）对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响。隨着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低。
【Abstract】 SiP2 artificial opal templates are fabricated,and metal organic chemical vapour deposition is used to infill the voids of prepared silica colloidal crystals with InP.The samples are characterized by scanning electron microscopy and UV-VIS spectroscopy.The results show that the crystallization temperature is an important factor in the infilling of InP.By the increasing of crystallization temperature,the infilling ratio of InP decreases.
【关键词】 光电子学；
有机金属化学气相沉积；
光子晶体；
人工欧泊；
温度；
【Key words】 optoelectronics； metal organic chemical vapor deposition； photonic crystal； artificial opal； temperature；
【Key words】 optoelectronics； metal organic chemical vapor deposition； photonic crystal； artificial opal； temperature；
【基金】 国家973预演课题(5130702)
- 【文献出处】 量子电子学报 ,Chinese Journal of Quantum Electronics , 编辑部邮箱 ,2006年06期
- 【分类号】TN204
- 【被引频次】2
- 【下载频次】140