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氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性

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【作者】 薛成山； 吴玉新； 庄惠照； 田德恒； 刘亦安； 何建廷； 艾玉杰； 孙莉莉； 王福学；

【机构】 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所； 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所 济南250014； 济南250014；

【摘要】 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40~160nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363nm的紫外光发射和422nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.

【关键词】 磁控溅射； 氮化镓纳米线； 光致发光；
  • 【文献出处】 科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,2006年13期
  • 【分类号】O484.41
  • 【被引频次】1
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