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200keV V+注入花生种子深度-浓度分布的蒙特卡罗模拟

A Monte Carlo Simulation of Penetration Depth and Concentration Distribution for 200keV Vanadium Ions Implanted into Peanuts

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【作者】 王林香； 祝恒江； 张石峰； 王世亨；

【Author】 WANG Lin-xiang~1,ZHU Heng-jiang~1,ZHANG Shi-feng~2, WANG Shi-heng~2(1.Department of Physics,Xinjiang Normal University,Urumuqi 830054,China;2.Department of Physics,Xinjiang University,Urumuqi 830046,China)

【机构】 新疆师范大学物理系； 新疆大学物理系； 新疆大学物理系 新疆乌鲁木齐830054； 新疆乌鲁木齐830054； 新疆乌鲁木齐830046；

【摘要】 在对植物种子靶材料进行处理和对LSS理论进行修正的基础上,用蒙特卡罗方法模拟计算了在一维和二维近似情况下,200 keV V+注入花生种子的深度-浓度分布,得到了与实验结果较符合的曲线.并在同样初始条件和理论模型下,计算了200 keV N+注入植物种子的深度-浓度分布,为研究低能离子注入植物种子深度-浓度分布提供了一种初步的理论计算方法.

【Abstract】 In one-and two-dimensional approximations,the penetration depth-concentration distribution for 200 keV vanadium ions implanted into peanuts is simulated using a Monte Carlo method.The calculation is in good agreement with experimental results.The depth-concentration distribution for nitrogen ions with low energy implanted into peanuts is calculated which can not be obtained with experiment.It provides a computational method for the depth-concentration distribution of ions with low energy implanted into seeds.

【关键词】 离子注入； 蒙特卡罗模拟； 浓度-深度分布；
【Key words】 ion implantation； Monte-Carlo simulation； depth-concentration distribution；
【基金】 新疆大学21世纪教研项目(20030106)资助项目
  • 【文献出处】 计算物理 ,Chinese Journal of Computational Physics , 编辑部邮箱 ,2006年06期
  • 【分类号】S565.2
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】57
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