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两种结构GaN基太阳盲紫外探测器

Solar-blind GaN-based UV Detectors with Two Structures

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【Author】 LI Xue~1,CHEN Jun~1,HE Zheng~1,ZHAO De-gang~2,GONG Hai-mei~1,FANG Jia-xiong~1(1.State Key Laboratories of Transducer Technology,Shanghai Institute of technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;2.Beijing Semiconductor Institute,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所；中国科学院半导体研究所；传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所上海200083；上海200083；北京100083；

【摘要】分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-A l0.33Ga0.67N/A lN/n-GaN和p-A l0.45Ga0.55N/i-A l0.45Ga0.55N/n+-A l0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器。研究结果表明,Au与i-A l0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250~290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230~275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W。更多还原

【Abstract】 Solar-blind AlGaN Schottky and PIN UV photodiode have been successfully demonstrated on MOCVD-grown i-Al_0.33Ga_0.67N/AlN/n-GaN and p-Al_0.45Ga_0.55N/i-Al_0.45Ga_0.55N/n+-Al_0.65Ga_0.35N hetero-structure.The result shows that good Schottky diode is formed on Au/i-Al_0.33Ga_0.67N,response wavelength of detector changes from 250nm to 290nm with the peak responsivity of 0.08A/W.Response wavelength of PIN UV detector changes from 230nm to 275nm with the peak responsivity of 0.02A/W.更多还原

【关键词】太阳盲区；肖特基； PIN；紫外探测器；
【Key words】 solar-blind； Schottky； PIN； UV detector；

【文献出处】激光与红外 ,Laser & Infrared , 编辑部邮箱 ,2006年11期

【分类号】TN23
【被引频次】14
【下载频次】292

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