节点文献
Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布
The Si/SiO2system’s damage and energy band distribution of interface states induced by total dose radiation
【摘要】 对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。
【Abstract】 Responses of three kinds of MOS capacitors to the total dose radiation have been compared and studied.The characteristic and mechanism of the radiation inducing damage in the Si/SiO2 system were explored from the view of the generation of the oxide charges and interface states,and,especially,the change of the energy band of interface states.
【关键词】 MOS电容；
氧化物电荷；
界面态；
能级分布；
【Key words】 MOS capacitor； oxide charge； interface state； energy band；
【Key words】 MOS capacitor； oxide charge； interface state； energy band；
- 【文献出处】 核电子学与探测技术 ,Nuclear Electronics & Detection Technology , 编辑部邮箱 ,2006年03期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】8
- 【下载频次】251