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多量子阱中注入载流子的非均匀分布

Non-Uniform Distribution of Injected Carriers in Multiple Quantum Wells

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【作者】 施炜黄黎蓉段子刚冯玉春

【Author】 Shi Wei1,Huang Lirong2,Duan Ziguang1,Feng Yuchun1 1 Institute of Optoelectronics,Shenzhen University,Shenzhen 518060 2 Optoelectronics Engineering Department,Huazhong University of Science and Tech nology,Wuhan 430074

【机构】 深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室华中科技大学光电子科学与工程学院深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室 深圳518060武汉430074深圳518060

【摘要】 根据多量子阱中注入载流子的输运机制,计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度,分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响.指出注入载流子分布的非均匀性,随量子阱数、注入电流、量子垒高度的增加而显著增加,随工作温度的升高而减小.

【Abstract】 Based on the injected carrier transportation mechanisms in multiple quantum wells (MQW), non-uniform distribution of injected carrie rs in MQW was computed numerically.And several parameters,which significantly af fect the carrier non-uniform distribution in MQW,were investigated. Results sho w that with the increase of the number of quantum wells, injected current and qu antum barrier height increases the non-uniformity of carrier distribution in MQ W,but with the decrease of working temperature it will also decrease.

【基金】 深圳市科技计划项目(200515);广东省关键领域重点突破项目(No.2B2003A107);深圳大学省、部重点实验室开放基金资助
  • 【文献出处】 光子学报 ,Acta Photonica Sinica , 编辑部邮箱 ,2006年09期
  • 【分类号】TN301
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】178
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