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热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响

The Effect of Annealing Temperature on the Formation of Environmental Semiconductor Material β-FeSi2

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【作者】 罗胜耘谢泉张晋敏肖清泉金石声朱林山闫万珺陈坤罗娇莲Koji YamadaKiyoshi Miyake

【Author】 LUO Shengyun~1,XIE Quan~(1,2),ZHANG Jinming~1,XIAO Qingquan ~1 JIN Shisheng~1,ZHU Linshan~1,YAN Wanjun~1,CHEN Kun~1(1.Optoelectronics & Information functional material Laboratory,college of computer science and engineering,Guizhou univesity,guiyang,550025 2.Department of physics and electronic science,Changsha university of science & technology,changsha,410076,Jiaolian Luo~3,Koji Yamada~3,Kiyoshi Miyake~3 3.Department of functional material,Saitama university,338-8570,Japan)

【机构】 贵州大学计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室日本Saitama大学机能材料工学科日本Saitama大学机能材料工学科 贵阳550025贵阳550025长沙理工大学物理与电子科学系长沙410076日本Saitama 338-8570

【摘要】 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。

【Abstract】 β-FeSi2 thin films on Si(100) by Non-mass-separated ion beam deposition(IBD) method were investigated.X-ray Diffraction and SEM and AFM analysis shows: The best β-FeSi2 thin films were obtained when the annealing temperature close to 6000C or 7000C.

【基金】 湖南省教育厅青年基金(03B006);湖南省自然科学基金(04JJ3030);国家人事部留学归国人员择优资助项目(200403);贵州省教育厅重点基金(05JJ002);贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001)
  • 【文献出处】 贵州大学学报(自然科学版) ,Journal of Guizhou University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2006年01期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】12
  • 【下载频次】151
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