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热处理对环境半导体材料β-FeSi2形成的影响
The Effect of Annealing Temperature on the Formation of Environmental Semiconductor Material β-FeSi2
【摘要】 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
【Abstract】 β-FeSi2 thin films on Si(100) by Non-mass-separated ion beam deposition(IBD) method were investigated.X-ray Diffraction and SEM and AFM analysis shows: The best β-FeSi2 thin films were obtained when the annealing temperature close to 6000C or 7000C.
【关键词】 环境半导体材料;
β-FeSi2;
IBD;
退火温度;
【Key words】 Environmental semiconductor material; β-FeSi2; Annealing temperature; IBD;
【Key words】 Environmental semiconductor material; β-FeSi2; Annealing temperature; IBD;
【基金】 湖南省教育厅青年基金(03B006);湖南省自然科学基金(04JJ3030);国家人事部留学归国人员择优资助项目(200403);贵州省教育厅重点基金(05JJ002);贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001)
- 【文献出处】 贵州大学学报(自然科学版) ,Journal of Guizhou University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2006年01期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】12
- 【下载频次】151