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偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性

Study on In-Plane Optical Anisotropy of Semiconductor Materials by Reflectance Difference Spectroscopy

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【Author】 ZHAO Lei~1,CHEN Yong-hai~2,ZUO Yu-hua~1,WANG Hai-ning~3,SHI Wen-hua~11.State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China2.Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China3.State Key Laboratory of Sensing Technique,Institute of Electronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080,China

【机构】中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室；中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室；中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室；中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083；北京100083；北京100080；

【摘要】介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。更多还原

【Abstract】 In the present review,the measuring principle of reflectance difference spectroscopy(RDS) is given.As a powerful tool in the surface and interface analysis technologies,the application of RDS to the research on semiconductor materials is summarized along with the origins of the in-plane optical anisotropy of semiconductors.And it is believed that RDS will play an important role in the electrooptic modification of Si-based semiconductor materials.更多还原

【关键词】偏振差分反射光谱；半导体；平面内光学各向异性；电光改性；
【Key words】 Reflectance difference spectroscopy； Semiconductor； In-plane optical anisotropy； Electrooptic modification；

【基金】国家自然科学基金(60336010,60390074,90401001);中国科学院专项计划项目(1731000500010)资助

【文献出处】光谱学与光谱分析 ,Spectroscopy and Spectral Analysis , 编辑部邮箱 ,2006年07期

【分类号】O472.3
【被引频次】2
【下载频次】227

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