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MOSFET的热载流子损伤及其退火

MOSFET′s Damage Induced by Hot Carrier Injection and Its Annealing

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【作者】 余学峰； 艾尔肯； 任迪远； 张国强； 陆妩； 郭旗；

【Author】 YU Xuefeng Erken REN Diyuan ZHANG Guoqiang LU Wu GUO Qi(Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi, 830011, CHN)

【机构】 中科院新疆理化技术研究所； 中科院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐； 830011； 乌鲁木齐；

【摘要】 对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温(100°C)下的退火特性进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载流子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。

【Abstract】 Responses of MOSFET′s transconductance and threshold voltage to the hot-carrier injection have been studied. The annealing characteristics of hot-carrier injecting induced damage also has been investigated, and from this view, the generation of the oxide charges and interface states have been discussed.

【关键词】 金属氧化物半导体场效应晶体管； 热载流子； 损伤； 退火；
【Key words】 MOSFET； hot-carrier； damage； annealing；
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of SSE Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2006年04期
  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】1
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