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2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管
A 2.7-3.4 GHz Super Broadband Silicon Microwave Pulsed Power Transistor
【摘要】 南京电子器件研究所最近在研制超宽带、长脉宽硅脉冲功率晶休管领域取得重大进展，研制出的器件在2.7-3．4GHz超宽频带内，脉宽100μs，占空比10％条件下，全带内脉冲输出功率大于100W，功率增益大于7．0dB，效率大于40％，顶降小于0.5dB。S波段硅脉冲大功率管带宽达到了700 MHz，迄今尚未见国内外报道。长期以来，由于受到器件芯片性能和内匹配技术的限制，国内外S波段硅脉冲大功率器件的工作频带往往划分成几个较窄的频段，如2.7-2．9GHz、2.7-3．1GHz、3.1-3.4GHz等，以利于器件获得较好的微波大功率性能。随着现代电子工程系统的日益发展，较窄工作频带的S波段大功率管已
- 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of SSE Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2006年02期
- 【分类号】TN323.4
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