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B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象

Study of Volume Expansion in B Ion Implantation Diamond Films

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【作者】 闫翠霞戴瑛刘东红

【Author】 YAN Cui-xia~(a,b),DAI Ying~a,LIU Dong-hong~aa School of Physics and Microelectronics,State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,P.R.Chinab Department of Physics,Jining teachers college,Jining 272100)

【机构】 山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室 济南250100 济宁学院物理系济宁272100济南250100

【摘要】 离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。

【Abstract】 Ion implantation is one of available methods to gain N-type or P-type doped diamond materials.However,it may destroy the crystal lattices and cause volume expansion in diamond films.In this paper,the volume expansion in B ion implanted Ib type diamond has been studied and the origin has been analyzed.

【关键词】 B离子注入退火体积膨胀
【Key words】 B ion implantationannealingvolume expansion
【基金】 国家自然科学基金资助项目(No.10374060);山东省自然科学基金资助项目(Y2003A01)
  • 【文献出处】 光散射学报 ,The Journal of Light Scattering , 编辑部邮箱 ,2006年01期
  • 【分类号】O484
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