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B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象
Study of Volume Expansion in B Ion Implantation Diamond Films
【摘要】 离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。本文对B离子注入合成Ib型金刚石薄膜后体积膨胀现象进行了研究,分析了引起体积膨胀的可能因素及原因。
【Abstract】 Ion implantation is one of available methods to gain N-type or P-type doped diamond materials.However,it may destroy the crystal lattices and cause volume expansion in diamond films.In this paper,the volume expansion in B ion implanted Ib type diamond has been studied and the origin has been analyzed.
【基金】 国家自然科学基金资助项目(No.10374060);山东省自然科学基金资助项目(Y2003A01)
- 【文献出处】 光散射学报 ,The Journal of Light Scattering , 编辑部邮箱 ,2006年01期
- 【分类号】O484
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