节点文献

AlN薄膜体声波谐振器研究

Design of film bulk acoustic wave resonator

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 李位勇; 顾豪爽; 张凯; 胡明哲; 胡光;

【Author】 LI Wei-yong,GU Hao-shuang,ZHANG Kai,HU Ming-zhe,HU Guang(The Faculty of Physics and Electronic Technology,Hubei University,Wuhan 430062,China)

【机构】 湖北大学物理学与电子技术学院; 湖北大学物理学与电子技术学院 武汉430062; 武汉430062;

【摘要】 采用一维Mason模型,研究了体声波谐振器的频率特性,探讨了压电薄膜A lN和上电极膜厚对谐振频率的影响,压电参数d33及压电薄膜与电极的厚度比率对机电耦合系数的影响,同时研究了谐振区域的面积和声能在衬底中的损耗对品质因数的影响。测量的体声波谐振器频率特性曲线与模拟结果吻合的较好。

【Abstract】 One dimensional Mason model is adopted to investigate the frequency response character of a film bulk acoustic wave resonator.The influences of electrode and AlN films thicknesses on the resonant frequency,piezoelectric constant d33 and electrode to AlN thickness ratio on the effective resonator coupling coefficient are discussed.The relationship between the quality factor and resonant area and energy loss in the substrate are also studied.Frequency response character of BAW fits well with the simulation result.

【基金】 武汉市科技攻关计划项目
  • 【文献出处】 功能材料与器件学报 ,Journal of Functional Materials and Devices , 编辑部邮箱 ,2006年05期
  • 【分类号】TB43
  • 【被引频次】7
  • 【下载频次】232
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络