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同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管

Observation of low angle grain boundaries and micropipes in 6H-SiC single crystal by synchrotron radiation black reflection white-beam topography

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【Author】 JIANG Shou-zhen~1,HUANG Xian-rong~2,HU Xiao-bo~1,LI Juan~1,CHEN Xiu-fang~1,WNAG Ying-ming~1,NING Li-na~1,XU Xian-gang~1,JIANG Min-hua~1(1.State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Ji’nan 250100,China;2.Department of Materials Science and Engineering,State University of New York at Stony Brook,New York 11794,USA)

【机构】山东大学晶体材料国家重点实验室；纽约州立大学石溪分校材料科学与工程系；山东大学晶体材料国家重点实验室山东济南250100；美国纽约11794；山东济南250100；

【摘要】利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好。据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小。更多还原

【Abstract】 Low angle grain boundaries and micropipes in 6H-SiC wafer were observed by synchrotron radiation back refection white-beam topography.Low angle grain boundaries are polygonized into 〈11- 00〉 directions.Based on the strain field around the screw dislocation and the diffraction geometry,we simulated the topograph of unit c screw dislocation.The calculated values were in good agreement with the experimental observation.The micropipes with different Burgers vectors in topograph were distinguished by this method.更多还原

【关键词】同步辐射背反射白光形貌术；小角度晶界；微管； SiC；升华法；
【Key words】 synchrotron radiation back reflection white-beam topography； low angle grain boundaries； micropipes； SiC； sublimation method；

【基金】国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2004AA31G030)

【文献出处】功能材料 ,Journal of Functional Materials , 编辑部邮箱 ,2006年12期

【分类号】O771
【被引频次】1
【下载频次】169

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