【摘要】 应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SIC半导体性质的影响。基态能量E0+(对应于电子自旋量子数为正)和E0-(对应于电子自旋量子数为负)都随磁场增加而线性减少:在0 T时,E0+和E0-都为-76.24 MEV;在25 T时,E0+和E0-分别为-68.50 MEV和-71.39 MEV。自旋能量与E0+和E0-之比P0+和P0-都随磁场增加而快速增加:在0 T时,P0+和P0-都为0;在20 T时,P0+为0.627;在25 T时,P0-为0.453。自旋能量与LANDAU基态能量之比P2始终为0.23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加:在0 T时,P1和P3都为0;在5 T时,P3为0.628;在40 T时,P1为0.306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。更多还原

【Abstract】 Using linear combination operator and perturbation method,the influences of electron spin on the properties of SiC is studied.Ground state energy E⁺₀（E^-₀） that the spin quantum number is plus（minus） decreases linearly with the magnetic field B increasing.E⁺₀ and E^-₀ are-76.24 meV at 0 T.E⁺₀（E^-₀） is-68.50 meV（-71.39 meV） at 25 T.The ratio P⁺₀（P^-₀） of spin energy to E⁺₀（E^-₀） increases rapidly with B increasing.P⁺₀ and P^-₀ are 0 at 0 T.P⁺₀（P^-₀） is 0.627（0.453） at 20 T（25 T）.The ratio P₂ of spin energy to Landau ground state energy is always 0.23.The ratio P₁（P₃） of spin energy to self-energy（energy of interaction between phonons） increases linearly with B increasing.P₁ and P₃ are 0 at 0 T.P₁（P₃） is 0.306（0.628） at 40 T（5 T）.These data and results are helpful to design and develop spin field effect transistor,spin light-emitting diode,spin resonant tunneling device,etc.更多还原