节点文献

非对称绝缘层无机EL显示器件的研究

Study on the Inorganic EL Devices with Asymmetric Insulating Layers

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 XIAO Tian~(1,2),LIN Ming-tong~1,CHEN Guo-rong~1,YANG Yun-xia~1,Xu Yi~2,CHEN Chen-xi~2,LOU Jun-hui~2(1.School of Materials Science and Engineering,East China University of Science and Technology,Shanghai,200237,CHN;2.SVA Electron Co.Ltd.,Shanghai,200081,CHN)

【机构】华东理工大学材料科学与工程学院；上海广电电子股份有限公司；上海广电电子股份有限公司上海200237；上海； 200081；上海200237；上海200081；

【摘要】非对称绝缘层无机EL显示器件是一种新颖的器件结构。成功制备了一批ZnS:M n器件,其下介质层为厚100~200 nm的SrT iO3(ST)或Ba0.5Sr0.5T iO3(BST)或T a2O5薄膜,上介质层为厚600~1 100 nm的T a2O5或ST/T a2O5或H fO2/T a2O5/A l2O3薄膜。发现以ST/T a2O5为上介质层的器件具有适当的阈值电压、较高的L50和较陡的L-V曲线,以H fO2/T a2O5/A l2O3为上介质层的器件具有较高的可靠性。更多还原

【Abstract】 Novel EL devices with asymmetric insulating layers were prepared and the luminescent performance was investigated in this article.The lower dielectric layers were 100～200 nm thick SrTiO₃（ST）,Ba_0.5Sr_0.5TiO₃（BST） or Ta₂O₅ thin films,and the upper dielectric layers were 600～1 100 nm thick Ta₂O₅,ST/Ta₂O₅ or HfO₂/Ta₂O₅/Al₂O₃ thin films.The EL devices with ST/Ta₂O₅ as the upper insulating layer showed moderate threshold voltage and higher L₅₀,while the devices with HfO₂/Ta₂O₅/Al₂O₃ as the upper insulating layer exhibited higher reliability.更多还原

【关键词】薄膜电致发光器件；不对称绝缘层；阈值电压； L-V曲线；
【Key words】 TFEL device； asymmetric insulating layer； threshold voltage； L-V curves；

【文献出处】光电子技术 ,Optoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2006年02期

【分类号】TN141
【被引频次】1
【下载频次】70

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献