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一个高线性功率预放大器的设计

Design of a High Linearity Pre-Power Amplifier

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【Author】 MIAO Wei-ming~1,SU Yan-feng~2,HONG Zhi-liang~1 (1.ASIC & System State Key Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,China;2.Shanghai Sicomm RF Technology,Inc,Shanghai 200433,China)

【机构】复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室；上海士康射频技术有限公司；复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433；上海200433；

【摘要】介绍了一个使用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器并采用0.35μm CMOS六层金属工艺实现.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器具有10 dB的功率增益,最大有6 dBm输出功率到50Ω负载,并且在1.9 GHz频率处获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3为9.4 dBm和输出1dB压缩点OP1dB为-0.6 dBm.更多还原

【Abstract】 A two stage Class-AB Pre-power amplifier realized with 0.35 μm CMOS 1P6M process with off-chip impedance matching is presented.The circuit consumes 18 mA current under 3.3 V supply.The measured power gain is 10 dB and maximum output power reaches more than 6 dBm to 50 Ω load.Pre-Power Amplifier achieves good linearity of OIP3=(9.4) dBm and OP1dB=0.6 dBm at 1.9 GHz.更多还原

【关键词】 CMOS；射频； AB类；功率预放大器；线性度；
【Key words】 CMOS； RF； class-AB； pre-power amplifier； linearity；

【文献出处】复旦学报(自然科学版) ,Journal of Fudan University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,2006年04期

【分类号】TN722.75
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