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基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿

Pressure Sensor Based on Si₃N₄ Membrane and the Compensation

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【Author】 WANG Qi~1,2,ZHAO Zhan~1,ZENG Huan-huan~1,2,FANG Zhen~1,2,ZHANG Bo-jun~11.State Key Laboratory of Transducer Technology,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080,China;2.Graduate School,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China

【机构】中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室；中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京100080；中国科学院研究生院；北京100039；北京100080；

【摘要】 MEMS技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点。用于测量大气气压的传感器,主要材料是硅、氮化硅和铂金,氮化硅薄膜形成了传感器的主要结构。这种压力传感器与一般传感器相比具有结构简单、工艺易于实现以及精度高等优点。设计了工艺过程,制作了器件样片,并算法补偿了温度对传感器的影响。更多还原

【Abstract】 The sensor based on MEMS has advantages of light weight,small size and low cost.A new structure pressure sensor has been designed and fabricated.The main materials of the sensor are Si,Si₃N₄ and Pt and Si₃N₄ membrane forms the main structure.The sensor has advantages of simple structure,easy processing and high accuracy compared to the normal sensor.The temperature compensation is also given,which improves the accuracy of the sensor.更多还原