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X波段单片低噪声放大器的设计

Design of an X Band MMIC LNA

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【作者】 申明磊徐晨

【Author】 SHEN Minglei~1,XU Chen~2(1.Nanjing University of Science & Technology,Nanjing 210094,China;2.Electronic Technology Information Research Institute of Ministry of Information Industry,Beijing 100040,China)

【机构】 南京理工大学微波与通信工程研究中心信息产业部电子科学技术情报研究所 江苏省南京市210094北京市100040

【摘要】 研究了微波PHEMT(假晶型高电子迁移率晶体管)的非线性模型提取技术和CAD设计优化技术,采用3级放大的拓扑结构,设计了输入、级间和输出匹配网络以及偏置电路和拓扑结构,在尽可能小的尺寸上实现了工作频率范围为9 GHz~11 GHz、增益大于33.9 dB、噪声小于0.75 dB、输入输出驻波比小于1.3、输入输出端口均匹配到50Ω标准阻抗的单片集成电路,具有小型化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点。

【Abstract】 This paper studies extraction method of nonlinear model and optimization technique of CAD design for MMIC LNA in depth.We use three-stage amplification circuit topology structure.Matching circuit,bias circuit and topology structure are all designed.It achieves low noise and high gain with as small-size as possible and ensures minimization of gate dimension and as high-linearity as possible.

【关键词】 X波段PHEMT微波单片集成电路
【Key words】 X bandPHEMTMMIC
  • 【文献出处】 电子工程师 ,Electronic Engineer , 编辑部邮箱 ,2006年10期
  • 【分类号】TN722.3
  • 【被引频次】1
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