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微弧氧化电源IGBT驱动和保护研究

Research of IGBT driving and protection in MAO source equipment

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【作者】 陈克选祖立国李春旭甄敬然

【Author】 CHEN Ke-xuan,ZU Li-guo,LI Chun-xu,ZHEN Jing-ran (Key Laboratory of Non-ferrous Metal Alloys,The Ministry of Education,Lanzhou University of Technology,Lanzhou 730050,China)

【机构】 兰州理工大学有色金属合金省部共建教育部重点实验室兰州理工大学有色金属合金省部共建教育部重点实验室 甘肃兰州730050甘肃兰州730050

【摘要】 针对微弧氧化电源中IGBT的保护问题,分析了大功率IGBT的栅极特性以及造成损坏的主要原因;提出了保护IGBT的几种措施,并对CONCEPT公司新近推出的专用于驱动大功率IGBT的驱动模块2SD315A进行了原理、应用等方面的介绍。

【Abstract】 In view of the protection of IGBT in MAO source equipment,the paper analyses the grid characteristics of high-power IGBT and the primary reason of causing failure,and gives several measures about protecting IGBT,also it introduces the principles and applications of driving module 2SD315A developed by CONCEPT recently,which is specially for driving high-power IGBT.

【关键词】 微弧氧化IGBT驱动电路2SD315A
【Key words】 MAOIGBTdriving circuit2SD315A
  • 【文献出处】 电焊机 ,Electric Welding Machine , 编辑部邮箱 ,2006年10期
  • 【分类号】TG434.1
  • 【被引频次】8
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