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快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响

Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing

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【作者】 马强； 杨德仁； 马向阳； 崔灿；

【Author】 MA Qiang,YANG De-ren,MA Xiang-yang,CUI Can(State Key Laboratory of Silicon Material,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China)

【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室； 浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江杭州310027； 浙江杭州310027；

【摘要】 本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀。经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD)。

【Abstract】 The effect of rapid thermal processing(RTP) on oxygen precipitates profile and denude zone(DZ) in Czochralski(CZ) silicon wafer during simulating CMOS processing is investigated.RTP(1250℃,50s) is more effective than that of conventional thermal anneal(1200℃,2h) for dissolving grown-in oxygen precipitation in CZ-Si.Moreover,perfect DZ with a width of about 20μm was formed in the near-surface region,whereas high-density uniformity-sized oxygen precipitation was formed in the bulk region after the thermal processing of CMOS.

【关键词】 直拉硅单晶； 氧沉淀； 快速热处理工艺； CMOS工艺；
【Key words】 Czochralski silicon； oxygen precipitates； RTP； processing of CMOS；
【基金】 国家自然科学基金重点资助项目(50032010);国家杰出青年基金资助项目(60225010);863项目(2002AA3Z1111)资助项目
  • 【文献出处】 材料科学与工程学报 ,Journal of Materials Science and Engineering , 编辑部邮箱 ,2006年05期
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】151
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