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低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析

Numerical Simulation and Analysis of Flow Field in Low Pressure Metalorganic Chemical Vapour Deposition Reactor

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【作者】 任爱光； 任晓敏； 王琦； 熊德平； 黄辉； 黄永清；

【Author】 REN Ai-guang~1,REN Xiao-min~1,WANG Qi~2,XIONG De-ping~1,HUANG Hui~1,HUANG Yong-qing~1(1.Key Laboratory of Optical Communication and Lightwave Technologies,Ministry of Education,Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing 100876;2.Institute of Continuing Education,Beijing University of Posts and Telecommunications,Beijing 100876,China)

【机构】 北京邮电大学光通信与光波导教育部重点实验室； 北京邮电大学继续教育学院； 北京邮电大学光通信与光波导教育部重点实验室 北京100876； 北京100876；

【摘要】 本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。

【Abstract】 The 2D simulations of flow,temperature in low pressure metalorganic chemical vapour deposition(LP-MOCVD) were described by finite volume method.The effects from the operating pressure and rotational speed of substrate are analyzed,and the merits of LP-MOCVD are pointed out.

【关键词】 有机金属化学气相外延； Simple算法； 旋转垂直腔；
【Key words】 LP-MOCVD； finite volume method； rotational and vertical cavity；
【基金】 科技部973资助项目(2003CB314901)
  • 【文献出处】 材料科学与工程学报 ,Journal of Materials Science and Engineering , 编辑部邮箱 ,2006年05期
  • 【分类号】TN304.05
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】109
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