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重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示
Delineation of Flow Pattern Defects in Heavily Boron-doped Czochralski Silicon Wafer
【摘要】 本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间。此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨。
【Abstract】 Through a series of experiments performed on the delineation of flow pattern defects(FPDs) in heavily Boron-doped Czochralski(CZ) silicon wafer,a modified Secco Etchant was obtained and the appropriate etching time was defined.Moreover,the mechanism for the delineation of FPDs in CZ silicon wafer was discussed.
【基金】 国家自然科学基金(50072019);国家杰出青年基金(50225210)资助项目
- 【文献出处】 材料科学与工程学报 ,Journal of Materials Science and Engineering , 编辑部邮箱 ,2006年02期
- 【分类号】TN304.05
- 【被引频次】2
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