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重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

Delineation of Flow Pattern Defects in Heavily Boron-doped Czochralski Silicon Wafer

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【作者】 方敏杨德仁马向阳阙端麟

【Author】 FANG Min,YANG De-ren,MA Xiang-yang,QUE Duan-lin(State Key Laboratory of Silicon Material,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China)

【机构】 浙江大学硅材料科学国家重点实验室浙江大学硅材料科学国家重点实验室 浙江杭州310027浙江杭州310027

【摘要】 本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间。此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨。

【Abstract】 Through a series of experiments performed on the delineation of flow pattern defects(FPDs) in heavily Boron-doped Czochralski(CZ) silicon wafer,a modified Secco Etchant was obtained and the appropriate etching time was defined.Moreover,the mechanism for the delineation of FPDs in CZ silicon wafer was discussed.

【关键词】 直拉单晶硅重掺硼FPD
【Key words】 Czochralski siliconheavily boron-dopedFPD
【基金】 国家自然科学基金(50072019);国家杰出青年基金(50225210)资助项目
  • 【文献出处】 材料科学与工程学报 ,Journal of Materials Science and Engineering , 编辑部邮箱 ,2006年02期
  • 【分类号】TN304.05
  • 【被引频次】2
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