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SnO2-Ag-SnO2结构元件室温下对H2S的敏感特性研究

Gas Sensitive Properties of SnO2-Ag-SnO2 Element to H2S at Room Temperature

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【作者】 李莉； 童茂松； 翁爱华；

【Author】 LI Li~1, TONG Mao-song~ 2 ,WENG Ai-hua~3 1 School of Chemistry and Chemical Engineering, Da Qing Petroleum Institute, Daqing Heilongjiang 163318,China; 2 R&D Center of Well Logging Company, Daqing Petroleum Administrative Bureau, Daqing Heilongjiang 163412, China; 3 College of GeoExploration Science and Technology, Jilin University,Changchun Jilin 130026, China

【机构】 大庆石油学院化学化工学院； 大庆石油管理局测井公司研发中心； 吉林大学地球探测科学与技术学院 黑龙江大庆163318； 黑龙江大庆163412； 吉林长春130026；

【摘要】 以SnCl4和O2为源物质,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)和浸渍法掺Ag技术制备了SnO2-Ag-SnO2结构薄膜,在20℃下该结构薄膜对H2S具有良好的气敏特性,即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。

【Abstract】 SnO2 thin films were prepared using SnCl4 and O2 as precursors by means of plasma enhanced chemical vapor deposition method （PECVD）, and were modified with silver （Ag） by soaking technique to form a SnO2-Ag-SnO2 element. The sensing composite thin film sensors were proved to be highly sensitive and selective to H2S at room temperature （20℃）. Furthermore, the response speed of the thin film sensors was fairly quick at this temperature.

【关键词】 PECVD； H2S气体传感器； 气敏特性；
【Key words】 PECVD； H2S sensors； gas sensitive properties；
【基金】 国家自然科学基金资助(40304009)
  • 【文献出处】 传感技术学报 ,Chinese Journal of Sensors and Actuators , 编辑部邮箱 ,2006年04期
  • 【分类号】TP212
  • 【被引频次】9
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