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硼碳氮薄膜的内应力研究

Inner Stress of Boron Carbon Nitride Thin Films

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【Author】 WANG Yuxin~(1,2),FENG Kecheng~1,WU Yun~1,ZHAO Yongnian~3(1.College of Science,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022;2.Department of physics,Liaoning Normal University,Dalian 116029;3.National Key Laboratory of Super-Hard Materials,Jilin University,Changchun 130012)

【机构】长春理工大学理学院；吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130022；辽宁师范大学物理系；大连116029；长春130022；长春130012；

【摘要】采用射频磁控溅射技术制备出硼碳氮(BCN)薄膜。傅里叶红外吸收光谱(FTIR)测量发现样品的组成原子之间实现了原子级化合,扫描电子显微镜(SEM)测量发现样品与衬底间存在较大的内应力。样品剥落后,应力的消除使红外吸收峰向低波数移动。实验还发现,对新制备的硼碳氮薄膜进行600℃热处理能有效释放薄膜中的压应力。更多还原

【Abstract】 Boron carbon nitride(BCN) thin films were deposited by radio frequency(RF) magnetron sputtering.Fourier transform infrared absorption spectrum(FTIR) measurement shows that B,C and N three type atoms have finished atomic-level hybrid and there is a larger inner stress between the films and substrate.When the films were peeled off from the substrate,stress relaxed and the FTIR absorption peaks shifted to lower wave numbers.Also,annealing at 600℃ is a feasible method to relax the stress for newly deposited.更多还原

【关键词】射频磁控溅射；硼碳氮薄膜；内应力；
【Key words】 RF magnetron sputtering； BCN thin films； inner stress；

【基金】国家自然科学基金委员会资助(59831340)

【文献出处】长春理工大学学报 , 编辑部邮箱 ,2006年01期

【分类号】O484.2
【被引频次】4
【下载频次】120

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