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GaInNAs/GaAs量子阱结构基态光跃迁的能量

Ground-State Transition Energy in GaInNAs/GaAs Quantum Well Structures

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【作者】 杨景海； 杨丽丽； 张永军； 刘文彦； 王丹丹； 郎集会； 赵庆祥；

【Author】 Yang Jinghai~(1,2,+),Yang Lili~(1,2),Zhang Yongjun~1,Liu Wenyan~1,Wang Dandan~1,Lang Jihui~1,and Zhao Qingxiang~3(1 Institute of Condensed State Physics,Jilin Normal University,Siping 136000,China) (2 Key Laboratory of Excited State Processes,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033,China) (3 Department of Physics,Chalmers University of Technology,Gteborg SE-41296,Sweden)

【机构】 吉林师范大学凝聚态物理研究所； 查尔摩斯技术大学光电物理所 四平136000； 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室； 长春130033； 四平136000； 哥德堡S-41296瑞典；

【摘要】 从理论和实验两个方面对GaInNAs/GaAs量子阱结构基态的光跃迁能量进行研究.在理论计算过程中,分别采用电子有效质量近似法和双能级推斥模型计算了GaInNAs合金的电子空穴分立能级的能量及其带隙能,讨论了由应变引起的带隙变化量.将理论计算结果与光致发光的实验结果进行比较,两者符合得很好.并简单分析了N的加入对GaInNAs合金带隙能产生的影响.

【Abstract】 The optical transition energy in GaInNAs/GaAs QW structures is investigated from theoretical and experimental aspects.The discrete-level energy and the band-gap energy are calculated using the effective-mass approximation and two-level repulsion model,respectively.The changes in the band-gap energy due to strains are also discussed.The theoretical and experimental transition energies of GaInNAs/GaAs quantum well structures are compared,and they agree well.The effect of N on the transition energies of GaInNAs/GaAs quantum well structures is analyzed simply.

【关键词】 量子阱； 光跃迁能量； 有效质量近似； 分子束外延；
【Key words】 quantum well； optical transition energy； effective-mass approximation； molecular-beam epitaxy；
【基金】 国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CD314702-02)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年11期
  • 【分类号】O471.1
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】153
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