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用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力(英文)
Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method
【摘要】 在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.
【Abstract】 In conjunction with ANSYS,we use the finite element method to analyze the bonding stresses of Si/GaAs.We also apply a numerical model to investigate a contour map and the distribution of normal stress,shearing stress,and peeling stress,taking into full consideration the thermal expansion coefficient as a function of temperature.Novel bonding structures are proposed for reducing the effect of thermal stress as compared with conventional structures.Calculations show the validity of this new structure.
【基金】 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314902)~~
- 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年11期
- 【分类号】O471
- 【被引频次】6
- 【下载频次】229