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用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力(英文)

Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method

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【作者】 何国荣; 杨国华; 郑婉华; 吴旭明; 王小东; 曹玉莲; 王青; 陈良惠;

【Author】 He Guorong~+,Yang Guohua,Zheng Wanhua,Wu Xuming,Wang Xiaodong,Cao Yulian,Wang Qing,and Chen Lianghui(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所; 中国科学院半导体研究所 北京100083; 北京100083;

【摘要】 在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.

【Abstract】 In conjunction with ANSYS,we use the finite element method to analyze the bonding stresses of Si/GaAs.We also apply a numerical model to investigate a contour map and the distribution of normal stress,shearing stress,and peeling stress,taking into full consideration the thermal expansion coefficient as a function of temperature.Novel bonding structures are proposed for reducing the effect of thermal stress as compared with conventional structures.Calculations show the validity of this new structure.

【关键词】 键合; 热应力; 有限元分析;
【Key words】 bonding; thermal stress; finite element analysis;
【基金】 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314902)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年11期
  • 【分类号】O471
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】229
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