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用有限元方法分析Si/GaAs的键合热应力(英文)

Analysis of Si/GaAs Bonding Stresses with the Finite Element Method

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【作者】 何国荣杨国华郑婉华吴旭明王小东曹玉莲王青陈良惠

【Author】 He Guorong~+,Yang Guohua,Zheng Wanhua,Wu Xuming,Wang Xiaodong,Cao Yulian,Wang Qing,and Chen Lianghui(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所 北京100083北京100083

【摘要】 在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布.同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性.

【Abstract】 In conjunction with ANSYS,we use the finite element method to analyze the bonding stresses of Si/GaAs.We also apply a numerical model to investigate a contour map and the distribution of normal stress,shearing stress,and peeling stress,taking into full consideration the thermal expansion coefficient as a function of temperature.Novel bonding structures are proposed for reducing the effect of thermal stress as compared with conventional structures.Calculations show the validity of this new structure.

【关键词】 键合热应力有限元分析
【Key words】 bondingthermal stressfinite element analysis
【基金】 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314902)~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年11期
  • 【分类号】O471
  • 【被引频次】6
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