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低损耗衬底上实现无源低通滤波器(英文)

A Passive Low-Pass Filter on Low-Loss Substrate

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【Author】 Fang Jie1,Liu Zewen 1, ,Zhao Jiahao2,Chen Zhongmin1,Wei Jia1,Liu Litian1,and Li Zhijian1(1 Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China) (2 Department of Material Science and Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China)

【机构】清华大学微电子研究所；清华大学材料科学与工程系；清华大学微电子研究所北京100084；北京100084；

【摘要】分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.更多还原

【Abstract】 The loss mechanisms of different passive devices (on-chip inductors and capacitors) on different substrates are analyzed and compared.OPS (oxidized porous silicon) and HR (high-resistivity) substrates are used as low-loss substrates for on-chip planar LPF (low pass filter) fabrication.For the study of substrate loss,a planar coil inductor is also designed.Simulation results show that Q (the quality factor) of the inductor on both substrates is over 20.Measurements of the LPF on OPS substrate give a -3dB bandwidth of 2.9GHz and a midband insertion loss of 0.87dB at 500MHz.The LPF on HR substrate gives a -3dB bandwidth of 2.3GHz and a midband insertion loss of 0.42dB at 500MHz.更多还原

【关键词】 LC低通滤波器；低损耗衬底；片上电感； RF；
【Key words】 LC low-pass filter； low-loss substrate； on-chip inductor； RF；

【基金】教育部211工程资助项目~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年09期

【分类号】TN713
【被引频次】1
【下载频次】179

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