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双极运算放大器辐射损伤的时间相关性

Time Dependence of Radiation Damage in Bipolar Operational Amplifiers

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【作者】 高嵩; 陆妩; 任迪远; 牛振红; 刘刚;

【Author】 Gao Song~(1,2,),Lu Wu~1,Ren Diyuan~1,Niu Zhenhong~(1,2),and Liu Gang~(1,2)(1 Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Urumqi 830011,China)(2 Graduate School,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039,China)

【机构】 中国科学院新疆理化技术研究所; 中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011; 中国科学院研究生院; 北京100039; 乌鲁木齐830011;

【摘要】 通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.

【Abstract】 The time dependence of radiation damage in bipolar op-amps is studied through a series of radiation experiments.The results show that radiation damage in bipolar op-amps is closely related to time,and we can evaluate low-dose rate radiation damage in devices by adjusting radiating the dose rate,annealing temperature,and annealing time parameters to experiment on circulating radiation-anneal.From the interface states point of view,the possible mechanisms of radiation damage are also analyzed.

  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年07期
  • 【分类号】TN722.77
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】96
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