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适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法

An ADI Method for the Breakdown Voltage Analysis of Thin-Film SOI RESURF Structure with the High-Order Compact Finite Difference

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【Author】 Yu Zongguang 1,2, ,Liu Zhan2,Wang Guozhang 1,2 ,and Xu Ziming2(1 No.58 Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Wuxi 214036,China)(2 Jiangnan University,Wuxi 214036,China)

【机构】中国电子科技集团公司第58研究所；江南大学信息工程学院无锡214035；江南大学信息工程学院；无锡214035；

【摘要】采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.更多还原

【Abstract】 The application of ADI and high-order compact finite difference method to the breakdown voltage analysis of thin film SOI RESURF structure.Numerical results present that this method can decrease the number of iterative by 40% and reduce the computation time greatly.更多还原

【关键词】 ADI；高阶紧致差分； SOI； RESURF；击穿电压；
【Key words】 ADI； high-order compact finite difference； SOI； RESURF； breakdown voltage；

【基金】电子元件器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金资助项目(批准号:51433020105DZ6801)~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年02期

【分类号】TN386
【被引频次】1
【下载频次】74

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