节点文献

Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文)

Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in AlxGa1-xN/GaN Heterostructures

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩

【Author】 Tang Ning1,Shen Bo 1, ,Wang Maojun1,Yang Zhijian1,Xu Ke1,Zhang Guoyi1,Gui Yongsheng2,Zhu Bo2,Guo Shaoling2,and Chu Junhao2(1 State Key Laboratory of Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China)(2 National Laboratory for Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China)

【机构】 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 北京100871北京100871上海200083

【摘要】 在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.

【Abstract】 Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases (2DEG) in AlxGa1-xN/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields.It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.

【基金】 国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,G001CB3095);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60444007,60136020,10374094);国家杰出青年基金(批准号:60325413);教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2006年02期
  • 【分类号】O471
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】179
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络