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一种新的自旋量子效应——电流感应磁化翻转

A Novel Spin-Dependent Quantum Effect:Current-Induced Magnetization Switching

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【作者】 任敏; 陈培毅; 张磊; 胡九宁; 邓宁;

【Author】 REN Min,CHEN Pei-yi,ZHANG Lei,HU Jiu-ning,DENG Ning (Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China)

【机构】 清华大学微电子学研究所; 清华大学微电子学研究所 北京100084; 北京100084;

【摘要】 电流感应的磁化翻转效应是近年来继巨磁阻效应(GMR)和隧道磁阻效应(TMR)之后提出的一种nm尺度下新的自旋相关效应,在无外加磁场的情况下,垂直于铁磁层平面的自旋极化电流就能引起铁磁层的磁化翻转。该效应有望被用于制作新型的电流操纵磁存储器件。报道了该效应的理论和实验的研究进展。

【Abstract】 A novel spin-dependent effect,current-induced magnetization switching(CIMS),was put forward in recent years after giant magnetoresistive(GMR)and tunneling magnetoresistive(TMR)effects. According to CIMS effect,the magnetization of ferromagnetic film can be switched by a spin-polarized current perpendicular to the film plane,without external magnetic field. Therefore,it is promising that a new type of magnetic random access memory operated only by current can be realized based on this effect. The progresses on its theories and experiments were introduced.

【基金】 清华大学基础研究重点基金资助项目(Jz2001010)
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2006年12期
  • 【分类号】O482.5
  • 【被引频次】5
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