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提高Si量子点发光强度的途径

Approach for Enhancing Luminescent Intensity of Si Quantum Dots

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【作者】 康建波彭英才简红彬马蕾张雷

【Author】 KANG Jian-bo1,PENG Ying-cai1,2,JIAN Hong-bin1,MA Lei1,ZHANG Lei1(1.College of Electronic and Informational Engineering,Hebei University,Baoding 071002,China;2.Lab.of Solid-State Microstructure Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China)

【机构】 河北大学电子信息工程学院河北大学电子信息工程学院 河北保定071002河北保定071002南京大学固体微结构物理实验室南京210093河北保定071002

【摘要】 探讨了提高Si量子点发光强度的可能途径。这些方法主要包括:采用高密度和小尺寸的有序Si量子点、光学微腔结构、表面钝化处理技术和稀土发光中心掺杂。

【Abstract】 The routes for enhancing luminescent intensity of Si quantum dots was discussed.These methods including the ordered Si quantum dots with high density and small size,the use of optical microcavity structure,surface passivation technologies,and doping of rare earth luminescent centers,which are very important for the fabrication of high luminescent intensity Si quantum dots.

  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2006年10期
  • 【分类号】O472.3
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】215
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