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低k介质与铜互连集成工艺

Advanced IC Process in Copper/Low-k Dielectrics Interconnections

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【作者】 孙鸣; 刘玉岭; 刘博; 贾英茜;

【Author】 SUN Ming,LIU Yu-ling,LIU Bo,JIA Ying-qian(Institute of Microelectronic Technique & Material,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China)

【机构】 河北工业大学微电子所; 河北工业大学微电子所 天津300130; 天津300130;

【摘要】 阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。依照工艺流程,介绍了如何具体实现IC制造多层互连工艺:嵌入式工艺、低k介质与平坦化、铜电镀工艺与平坦化;阐述了工艺应用现况与存在的难题,给出了国际上较先进的解决方法。

【Abstract】 The critical role of Cu/low-k dielectrics interconnections instead of conventional Al process played in the IC fabrication was demonstrated.According to the process flow,how to realize the IC fabrication was described--embedded process,low-k dielectrics & CMP,Cu ECP & CMP.The status of process level and the issues were pointed out,the world advanced solutions were given.

【关键词】 嵌入式工艺; 低k介质; 铜电镀; 化学机械抛光;
【Key words】 embedded process; low-k dielectric; Cu ECP; CMP;
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2006年10期
  • 【分类号】TN405.97
  • 【被引频次】24
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