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SiC薄膜的化学汽相沉积及其研究进展

Chemical Vapor Deposition of SiC Films and Its Progress

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【Author】 JIAN Hong-bina,KANG Jian-boa,YU Weib,MA Leia,PENG Ying-caia (a.College of Electronic and Informational Engineering;b.College of Physics Science and Technology, Hebei University,Baoding 071002,China)

【机构】河北大学电子信息工程学院；河北大学物理科学与技术学院；河北大学电子信息工程学院河北保定071002；河北保定071002；

【摘要】介绍了SiC薄膜的一种主要制备方法———化学汽相沉积(CVD)法制备SiC薄膜的近年研究进展,并对所制备薄膜的结构特征与物理性质进行了简要评述。更多还原

【Abstract】 The recent progress on fabricating methods of SiC films using chemical vapor deposition(CVD)was introduced,and the structural characteristics and physical properties of the CVD-SiC films were also reviewed.更多还原

【关键词】 SiC薄膜；化学汽相沉积；物理性质；器件应用；
【Key words】 SiC film； CVD； physical properties； device application；

【文献出处】微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2006年01期

【分类号】TN304.05
【被引频次】18
【下载频次】616

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