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硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究

Study of Si and Ge Growth on Si(100) Surface

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【Author】 Wang Lei,Tang Jingchang,Yang Deren (State Key Laboratory of Silicon Materials,Department of Physics,Zhejiang University,Hangzhou,310027,China) Wang Xuesen (Department of Physics,The Hongkong University of Science and Technology,Clear Water Bay,Kowloon,

【机构】浙江大学硅材料国家重点实验室；香港科技大学物理系；复旦大学物理系浙江大学物理系杭州310027；浙江大学物理系杭州310027；香港九龙清水湾；上海200433；

【摘要】利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小岛。而在Si/Ge/Si(10 0 )多层膜上生长则形成大小二种三维岛。研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构更多还原

【Abstract】 Utilizing scanning tunneling microscope and UHV system,the growth of Si and Ge on Si(100) surface have been investigated.The morphological and structural properties of the surfaces are studied.A nano patterned Si film can be produced by homoepitaxy on Si(100).The growth of Ge on Si(100) will form regular 3D islands.On the multilayer film of Si/Ge/Si(100),the Ge will form regular small and big islands.The big islands are probably stabilized by a Ge/Si/Ge shell structure.更多还原

【关键词】锗；硅；扫描隧道显微镜；
【Key words】 Ge； Si； STM；

【基金】中国自然科学基金资助项目 (199740 3 6)

【文献出处】真空科学与技术 , 编辑部邮箱 ,2002年02期

【分类号】TN304.055
【被引频次】3
【下载频次】219

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