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在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响

Effect of Se Source Temperature on Performances of CdSe Target in VME-FPC

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【Author】 LU Youg-ji 1, SHAO You-jun 1, LIU Guang-yi 2, SHI Hua-fen 1,LUO Yun-liang 3(Electron Device Laboratory, Photoelectric Research Institute,Academy of Broad Science, Beijing 102206,China, 2.Institute of Electron, Chinese Academy of Science,Beijing 10008

【机构】国家广播电影电视总局广播科学研究院光电研究所；中国科学院电子学研究所；北京三信时代信息公司北京102206；北京102206；北京100080；北京100091；

【摘要】 CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料 ,在CdSe靶材的结晶过程中Se气氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。更多还原

【Abstract】 This paper introduced the method and the apparatus under the accurate control of Se atmosphere.A decisive effect of Se temperature or its pressure on performances of CdSe photoconductive target was described.更多还原

【关键词】真空微电子摄像管；硒气氛；六角形结构；
【Key words】 vacuum microelectronics flat panel camera tube； Se atmosphere； hexagonal structure；

【基金】国家自然科学基金资助项目 ( 6 9971 0 1 1 )

【文献出处】液晶与显示 ,Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays , 编辑部邮箱 ,2002年03期

【分类号】TN141
【被引频次】3
【下载频次】19

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