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掺稀土半导体光电特性和应用

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【作者】 陈维德； 陈长勇； 宋淑芳； 许振嘉；

【机构】 中国科学院半导体所； 中国科学院半导体所 北京100083； 北京100083； 北京100083；

【摘要】 结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展。重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。

【关键词】 稀土元素； GaN； 硅基材料； 发光；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(批准号60176025,69976028)
  • 【文献出处】 中国稀土学报 ,Journal of The Chinese Rare Earth Society , 编辑部邮箱 ,2002年06期
  • 【分类号】TN304.91
  • 【被引频次】5
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