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电荷密度波材料K_0.3_MoO₃及W掺杂样品的红外光学响应的研究

Infrared response of pure and W-doped K_0.3MoO₃

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【Author】 Feng Tian 1)2) \ Wang Nan\|Lin 2) Chen Zhao\|Jia 2) Tian Ming\|Liang 3) Zhang Yu\|Heng 3) 1) (Technical Institute of Physics and Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Beijing\ 100080,China) 2) (Institute of P

【机构】中国科学院理化技术研究所；中国科学院物理研究所；中国科技大学结构成分分析中心；中国科技大学结构成分分析中心北京100080；北京100080；合肥230026；合肥230026；

【摘要】研究了准一维材料K0 3MoO3以及掺杂了 3%和 15 %的W的样品在TCDW =180K以上和以下的温度时的光反射谱和电导率谱 .在此基础上讨论了伴随着Peierls相变产生的相声子和单粒子能隙 ,以及W掺杂对CDW凝聚的影响更多还原

【Abstract】 We measured the reflectance spectra of pure,3% and 15% Tungsten\|doped K 0 3 MoO 3 below and above the charge density wave (CDW) transition temperatures.The conductivity spectra were derived from Kramers\|Kronig transformation.The effect of W impurities on phase phonons,single particle gap associated with CDW condensation were discussed.更多还原

【关键词】电荷密度波； Peierls相变；
【Key words】 charge density wave； Peierls transition；

【基金】国家杰出青年基金 (批准号 :10 0 2 5 418)资助的课题~~