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PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究
Electronic structures of defects associated with intrinsic vacancies in PbWO4 crystals
【摘要】 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :PbWO4 晶体中WO3+VO 缺陷的O2p→W5d跃迁可引起 3 5 0nm和 4 2 0nm附近的吸收 ,并且发现VPb的存在可以使WO42 基团的禁带宽度明显变小
【Abstract】 This paper presents a study on electronic structures of defects associated with oxygen vacancy V O and lead vacancy V Pb in lead tungstate crystals (PbWO 4), by the relativistic self consistent discrete variational embedded cluster method. Furthermore, the excitation energy is also calculated. We found that WO 3+ V O could be the absorption center at 350nm and 420nm, and the existence of V Pb can diminish the band gap of WO 4 2- .
【关键词】 PbWO4晶体；
密度泛函；
氧空位和铅空位；
态密度分布；
【Key words】 PbWO 4 crystal； density functional theory； oxygen and lead vacancies； density state；
【Key words】 PbWO 4 crystal； density functional theory； oxygen and lead vacancies； density state；
【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :197740 43);上海市教育委员会重点学科发展基金;教育部高等学校骨干教师资助计划;上海高等学校科技发展基金资助的课题~~
- 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2002年01期
- 【分类号】O77
- 【被引频次】19
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